ARM近日公布了下一代無線產品和應用SoC平臺技術的更多細節(jié)，并采用GlobalFoundries 28nm先進工藝代工。
去年十月份，GF和ARM達成了長期戰(zhàn)略合作伙伴關系，主要涉及SoC平臺的代工制造。
ARM表示，新平臺預計能帶來40％的計算性能提升，同時降低降低30％，待機電池續(xù)航時間延長100％，其中涉及GF的兩種工藝：面向移動和消費產品的28nm SLP超低功耗版本、面向最大化性能應用的28nm HP高性能版本。
新的SoC平臺基于ARM Cortex-A9處理器，輔以GF 28nm前柵極高K金屬柵極(HKMG)工藝，這也將是GF第一次引入HKMG技術，和Intel 45nm工藝上的類似。按照估計，28nm HKMG相比于45/40nm工藝能在同樣的散熱指標下將性能提升大約40％。
GF 28nm工藝計劃2010年下半年投入量產，地點位于德國德累斯頓的Fab 1晶圓廠。AMD下一代顯卡也有望采用這種新工藝，但尚未得到證實。此外臺積電也會從今年年中開始代工28nm工藝芯片。
GlobalFoundries日前展示的28nm工藝晶圓
半年前展示的28nm SRAM Bulk測試晶圓
