第4頁：內(nèi)存篇：重要參數(shù)詳解
內(nèi)存作為傳統(tǒng)電腦三大配件之一，雖然外表其貌不揚，而且體積小巧輕薄，但作用卻非常重要。內(nèi)存可以說是CPU處理數(shù)據(jù)的“大倉庫”，所有經(jīng)過CPU處理的指令和數(shù)據(jù)都要經(jīng)過內(nèi)存?zhèn)鬟f到電腦其他配件上，因此內(nèi)存做工的好壞，直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
海盜船4GB DDR2-1066內(nèi)存套裝標簽
由于內(nèi)存在標簽上并沒有具體統(tǒng)一的格式，所以在識別時候有些麻煩。一般的標簽都必須有的信息為容量（2048MB）、頻率（1066MHz）、延遲（5-6-6-18）、電壓（2.10V）等信息，這些也都是最基本的參數(shù)。
● 內(nèi)存延遲
內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存相應的時間，它通常用4個連著的阿拉伯數(shù)字來表示，例如“5-6-6-18”。其實并非延遲越小內(nèi)存性能越高，因為CL-TRP-TRCD-TRAS這四個數(shù)值是配合使用的，相互影響的程度非常大，并且也不是數(shù)值最大時其性能也最差，那么更加合理的配比參數(shù)很重要。
上圖我們看到這款海盜船內(nèi)存頻率為1066MHz，延遲為“5-6-6-18”，它們代表的意義從左往右分別是：
CAS Latency，即列地址選通脈沖時間延遲，我們常說的CL值就是它。指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應速度。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），對應于CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內(nèi)存尋址。RAS（數(shù)據(jù)請求后首先被激發(fā)）和CAS（RAS完成后被激發(fā)）并不是連續(xù)的，存在著延遲。即內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間。
Row－precharge Delay（tRP），內(nèi)存行地址選通脈沖預充電時間，即內(nèi)存從結束一個行訪問結束到重新開始的間隔時間。
Row－active Delay（tRAS），內(nèi)存行地址選通延遲。是指從收到一個請求后到初始化RAS（行地址選通脈沖）真正開始接受數(shù)據(jù)的間隔時間。
