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三思而后買 你真的需要DDR3內(nèi)存嗎

http://m.yibo1263.com 2008-12-2 8:43:26  來源:東北IT網(wǎng)  編輯:東三省
 
  隨著Intel Core i7系列處理器的發(fā)布,DDR3內(nèi)存終于在全世界玩家前吐氣揚(yáng)眉。在Core i7處理器中,集成了三通道內(nèi)存控制器,并唯一支持DDR3內(nèi)存。DDR3內(nèi)存強(qiáng)大的性能終于得到體現(xiàn),而各大內(nèi)存廠商也開始大力推廣DDR3內(nèi)存。更大的容量、更高的速度、更低的價(jià)格成為DDR3內(nèi)存普及的重要武器,DDR3代替DDR2的步伐已經(jīng)不可阻擋。

  DDR3內(nèi)存又有哪些優(yōu)勢(shì)呢?那么DDR3內(nèi)存適合誰呢?購買DDR3內(nèi)存時(shí)又需要注意點(diǎn)什么呢?

DDR3內(nèi)存頻率提升更高

  DDR3內(nèi)存頻率讓人感到非常驚訝,從800MHz起跳,目前已經(jīng)有廠商推出1600MHz的產(chǎn)品。實(shí)際上內(nèi)存有三種不同的頻率指標(biāo),它們分別是核心頻率、時(shí)鐘頻率和有效數(shù)據(jù)傳輸頻率。核心頻率即為內(nèi)存Cell陣列(Memory Cell Array)的工作頻率,它是內(nèi)存的真實(shí)運(yùn)行頻率;時(shí)鐘頻率即I/O Buffer(輸入/輸出緩存)的傳輸頻率;而有效數(shù)據(jù)傳輸頻率則是指數(shù)據(jù)傳送的頻率。

  DDR3內(nèi)存一次從存儲(chǔ)單元預(yù)取8Bit的數(shù)據(jù),在I/OBuffer(輸入/輸出緩存)上升和下降中同時(shí)傳輸,因此有效的數(shù)據(jù)傳輸頻率達(dá)到了存儲(chǔ)單元核心頻率的8倍。同時(shí)DDR3內(nèi)存的時(shí)鐘頻率提高到了存儲(chǔ)單元核心的4倍。也就是說DDR3-800內(nèi)存的核心頻率只有100MHz,其I/O頻率為400MHz,有效數(shù)據(jù)傳輸頻率則為800MHz。

三思而后買你真的需要DDR3內(nèi)存嗎

DDR3-2000,比入門級(jí)雙核速度還要高

  DDR3內(nèi)存能實(shí)現(xiàn)DDR2內(nèi)存無法達(dá)到的頻率高度,而且具有更好的超頻能力。一般DDR3-1066內(nèi)存都能超頻至DDR3-1200,PQI鳳凰系列1GB DDR3-1066更是可以達(dá)到DDR3-1600的水平。筆者近日測(cè)試的金士頓 HyperX 1GB DDR3-1800,更是在默認(rèn)1.9V的狀態(tài)下頻率超頻至DDR3-2000,實(shí)現(xiàn)了目前桌面平臺(tái)上最高的內(nèi)存頻率。

傳輸帶寬翻倍/延遲降低

  由于DDR3內(nèi)存可以進(jìn)行8Bit預(yù)取首先,因此它給我們帶來更高的內(nèi)存帶寬。DDR3-1600內(nèi)存,可以提供高達(dá)12.8GB/S的帶寬,如果組成雙通道,則可以提供25.6GB/S的帶寬。而雙通道DDR2-1066內(nèi)存只可以提供17GB/S帶寬。

三思而后買你真的需要DDR3內(nèi)存嗎(2)

測(cè)試中Core i7基于DDR3內(nèi)存,Core 2 Duo Q8200基于DDR2-800內(nèi)存

  從時(shí)鐘周期來看看不少玩家認(rèn)為DDR3的延遲比DDR2更為嚴(yán)重,如DDR2-800內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序:5-5-5-18,但DDR3-800內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序則達(dá)到了6-6-6-15、DDR3-1066為7-7-7-20、而DDR3-1333更是達(dá)到了9-9-9-25。事實(shí)上,JEDEC定下的DDR2內(nèi)存延遲時(shí)間均為15ns。

  要計(jì)算整個(gè)內(nèi)存的延遲值,還需要把內(nèi)存顆粒運(yùn)行頻率計(jì)算在內(nèi)。如果DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分別為7-7-7、8-8-8及9-9-9,把內(nèi)存顆粒運(yùn)行頻率計(jì)算在內(nèi),其延遲值應(yīng)為13.125ns(7*1000/533.33)、12.0ns及11.25ns,相比DDR2改善約25%。

三思而后買你真的需要DDR3內(nèi)存嗎(2)

DDR3內(nèi)存?zhèn)鬏斞舆t更低

  由此看來,CL和延遲時(shí)間并不能簡(jiǎn)單地相等,CL是指時(shí)鐘周期,如CL=5,表示CL值為5個(gè)周期。而延遲時(shí)間是指一個(gè)存取周期所用的時(shí)間,單位是ns,頻率越高,自然一個(gè)周期所用的絕對(duì)時(shí)間也越短。因此DDR3內(nèi)存的延遲比DDR2降低了不少。

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