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Rambus發(fā)布內存創(chuàng)新技術 突破3200Mbps

http://m.yibo1263.com 2009-5-29 7:50:35  來源:本站  編輯:東三省
 

Rambus公司是專注于高速內存架構技術的全球一流技術授權企業(yè),為了突破目前DDR3內存數據傳輸率的極限3200Mbps,Rambus公司今天發(fā)布了一組創(chuàng)新技術,這些創(chuàng)新技術充分利用了Rambus的多項獲獎設計,含有幾項專利技術和正在申請的專利技術。借助于這一組創(chuàng)新技術,設計師可以實現更高的內存數據率、更有效的處理能力、更優(yōu)的功率效率,并能用更大的存儲容量來滿足今后計算應用的需求。

Rambus公司的研究員說:“產品在多核運作、虛擬化以及芯片集成方面的改進對存儲子系統(tǒng)提出了越來越多的要求,這也成了阻礙目前高性能計算系統(tǒng)發(fā)展的主要因素。Rambus的這一系列創(chuàng)新,能使內存系統(tǒng)更適合于這類以處理能力為導向的多核處理器的帶寬和工作負荷,從而擴大未來主內存的設計和解決方案空間,為新一代計算平臺提供支持!

Rambus公司的幾項關鍵創(chuàng)新技術將推動主內存路線圖的發(fā)展,具體包括:

- FlexPhase技術:XDR內存架構推出的技術,具有更高的數據傳輸率;

- Near Ground Signaling技術:可在顯著降低的IO功率條件下實現高性能,支持0.5V的工作電壓,同時還可保持穩(wěn)健的信號完整性;

- FlexClocking架構:用于Rambus的移動存儲技術,通過消除DRAM中DLL和PLL來降低時鐘功率;

- 模塊化線程化技術:提高內存工作效率,降低DRAM功耗。結合低電壓信號傳輸和FlexClocking技術可使存儲系統(tǒng)功耗降低40%;

- 動態(tài)點對點技術:通過點對點信號傳輸情況,在不影響性能的前提下進行容量升級。

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