內存在電腦中的重要性和地位僅次于CPU，其品質的優(yōu)劣對電腦性能有至關重要的影響。為充分發(fā)揮內存的潛能，必須在BIOS設置中對與內存有關的參數進行調整。下面針對稍老一點的支持Intel PentiumⅢ、CeleronⅡ處理器的Intel 815E/815EP芯片組主板、VIA(威盛)694X芯片組主板和支持AMD Thunder bird(雷鳥)、Duron(鉆龍)處理器的VIA KT133/133A芯片組主板，介紹如何在最常見的Award BIOS 6．0中優(yōu)化內存設置。對于使用較早芯片組的主板和低版本的Award BIOS，其內存設置項相對要少一些，但本文所介紹的設置方法同樣是適用的。
Intel 815E/815EP芯片組主板
在這類主板BIOS的Advanced Chipset Features(高級芯片組特性)設置頁面中一般包含以下內存設置項：
Set SDRAM Timing By SPD(根據SPD確定內存時序)
可選項：Disabled，Enabled。
SPD(Serial Presence Detect )是內存條上一個很小的芯片，它存儲了內存條的工作參數信息。如果使用優(yōu)質的品牌內存，則可以將DRAM Timing By SPD設置成Enabled，此時，就無需對下面介紹的BIOS內存參數進行設置了，系統(tǒng)會自動根據SPD中的數據確定內存的運行參數。有些兼容內存的SPD是空的或者感覺某些品牌內存的SPD參數比較保守，想充分挖掘其潛能，則可以將該參數設置成Disabled，這時，就可以對以下的內存參數進行調整了。
SDRAM CAS Latency Time(內存CAS延遲時間)
可選項：2，3。
內存CAS(Column Address Strobe，列地址選通脈沖)延遲時間控制SDRAM內存接收到一條數據讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。在133MHz頻率下，品質一般的兼容內存大多只能在CAS=3下運行，在CAS=2下運行會使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數據甚至無法啟動。CAS延遲時間是一個非常重要的內存參數，對電腦性能的影響比較大，Intel與VIA就PC133內存規(guī)范的分歧也與此參數有關，Intel認為PC133內存應能穩(wěn)定運行于133MHz頻率、CAS=2下，而VIA認為PC133內存能穩(wěn)定運行于133MHz頻率即可，并未特別指定CAS值，因此Intel的規(guī)范更加嚴格，一般只有品牌內存才能夠滿足此規(guī)范，所以大家感覺Intel的主板比較挑內存。
SDRAM Cycle Time Tras/Trc(內存Tras/Trc時鐘周期)
可選項：5/7，7/9。
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該參數用于確定SDRAM內存行激活時間和行周期時間的時鐘周期數。Tras代表SDRAM行激活時間(Row Active Time)，它是為進行數據傳輸而開啟行單元所需要的時鐘周期數。Trc代表SDRAM行周期時間(Row Cycle Time)，它是包括行單元開啟和行單元刷新在內的整個過程所需要的時鐘周期數。出于最佳性能考慮可將該參數設為5/7，這時內存的速度較快，但有可能出現因行單元開啟時間不足而影響數據傳輸的情況，在SDRAM內存的工作頻率高于100MHz時尤其是這樣，即使是品牌內存大多也承受不了如此苛刻的設置。
SDRAM RAS-TO-CAS Delay(內存行地址傳輸到列地址的延遲時間)
可選項：2，3。
該參數可以控制SDRAM行地址選通脈沖(RAS，Row Address Strobe)信號與列地址選通脈沖信號之間的延遲。對SDRAM進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數設為2，如果系統(tǒng)無法穩(wěn)定運行則可將該參數設為3。
SDRAM RAS Precharge Time(內存行地址選通脈沖預充電時間)
可選項：2，3。
該參數可以控制在進行SDRAM刷新操作之前行地址選通脈沖預充電所需要的時鐘周期數。將預充電時間設為2可以提高SDRAM的性能，但是如果2個時鐘周期的預充電時間不足，則SDRAM會因無法正常完成刷新操作而不能保持數據。
