百腦匯8 月 23 日消息 隨著年底英特爾 12 代酷睿 Alder Lake 系列以及 AMD 下一代 Zen4 處理器的到來(lái)，DDR5 內(nèi)存將步入大眾生活，在此之前，各家存儲(chǔ)半導(dǎo)體廠(chǎng)商已經(jīng)開(kāi)始推廣其新一代 DDR5 內(nèi)存。
在 HotChips 33 上，AMD 等一眾行業(yè)巨頭均有參會(huì)，其中三星便揭曉了業(yè)內(nèi)首款單條 512GB 的 DDR5 內(nèi)存條（消費(fèi)級(jí) 64GB），采用標(biāo)準(zhǔn) JEDEC DDR5-7200 時(shí)序，頻率更是高達(dá) 7200MHz。
據(jù)介紹，三星這個(gè) 512 GB 的 DDR5 內(nèi)存專(zhuān)為服務(wù)器和企業(yè)使用而設(shè)計(jì)，比起現(xiàn)今市場(chǎng)上最高端的 256 GB 模塊更上一層樓，但為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星一直在引入一些新特性和功能，恐怕其價(jià)格會(huì)讓常人難以企及。
與 DDR4 相比，三星的 DDR5-7400 內(nèi)存僅用 1.1V 的電壓就達(dá)到了 DDR4 140% 的性能和兩倍的容量，似乎除了貴真的沒(méi)什么缺點(diǎn)。
三星 DDR5-7200 內(nèi)存采用 8 顆堆疊 DDR5 芯片，并通過(guò) TSV 互連。
百腦匯了解到，之前 DDR4 最多為四顆 DDR4 Die，所以目前來(lái)看 DDR5 更加密集（堆棧尺寸為 1.0mm，DDR4 為 1.2mm），能夠減少 40% 的間隙，從而降低堆棧的高度。
據(jù)三星電子，該公司在 DDR5-7200 內(nèi)存模塊上實(shí)現(xiàn)了“ Same-Bank”，宣稱(chēng)其 DRAM 總線(xiàn)的效率提高了 10%。此外，該公司還涉及了新的決策反饋均衡器 (DFE)，有助于提高信號(hào)穩(wěn)定性。
