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問(wèn)題根源揭秘：
內(nèi)存行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC規(guī)定了內(nèi)存的頻率/延時(shí)標(biāo)準(zhǔn)。其中DDR2-800包括800MHz/CL5、800MHz/CL6兩種標(biāo)準(zhǔn)。制造商在生產(chǎn)DDR2-800內(nèi)存顆粒、內(nèi)存模組的時(shí)候，必須選擇其中之一為標(biāo)準(zhǔn)，因此內(nèi)存成品的SPD信息中也只能預(yù)置其對(duì)應(yīng)的一種標(biāo)準(zhǔn)，不能兩種并存。
此外，近期隨著國(guó)際OEM市場(chǎng)對(duì)800MHz/CL6內(nèi)存的需求量迅速增長(zhǎng)，各大廠(chǎng)商陸續(xù)開(kāi)始量產(chǎn)800MHz/CL6芯片，采用這種顆粒的各品牌內(nèi)存條也陸續(xù)上市。但終端經(jīng)銷(xiāo)商、用戶(hù)并不了解此產(chǎn)品的細(xì)節(jié)特點(diǎn)，很多人知道如果混插不同頻率的內(nèi)存條，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)選擇較低頻率運(yùn)行，但實(shí)際上兩支或多支內(nèi)存要在同一系統(tǒng)內(nèi)運(yùn)行，必須保證頻率和延時(shí)均相同。雖然用戶(hù)可以手動(dòng)設(shè)置BIOS參數(shù)，但大多數(shù)用戶(hù)均采用自動(dòng)設(shè)置，所以上述典型案例會(huì)隨800MHz/CL6越來(lái)越多地涌現(xiàn)。
●問(wèn)題解決方案：
1：對(duì)于800MHz/CL6內(nèi)存來(lái)說(shuō)，將主板BIOS設(shè)置由自動(dòng)改為手動(dòng)，延時(shí)設(shè)置為CL=6。這里需要注意的是：內(nèi)存CL值與頻率值相反，內(nèi)存CL延時(shí)數(shù)值越高，性能越低。因此，800MHz/CL6內(nèi)存可能不能穩(wěn)定運(yùn)行在800MHz/CL5模式下，兩種內(nèi)存混插時(shí)，選擇CL6，是為了保證穩(wěn)定性和兼容性。
2：如果上述方法并不奏效，用戶(hù)可拆除一條低規(guī)格內(nèi)存，另一條高規(guī)格內(nèi)存即可運(yùn)行在系統(tǒng)和內(nèi)存均支持的頻率/延時(shí)模式下。
3：如果出現(xiàn)這種情況則最為麻煩，那就是用戶(hù)購(gòu)買(mǎi)的臺(tái)式機(jī)或者筆記本主板BIOS參數(shù)中不允許用戶(hù)手動(dòng)進(jìn)行更改，系統(tǒng)在任何時(shí)候都會(huì)自動(dòng)選擇相匹配的內(nèi)存參數(shù)。出現(xiàn)這種情況只能靠更換主板或者刷新BIOS信息來(lái)解決了。
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