| |
以典型的VIA KT333主板為例，進(jìn)入BIOS后找到“DRAM Clock(內(nèi)存時(shí)鐘頻率)”選項(xiàng)，即有“Host Clock(總線頻率和內(nèi)存工作頻率同步)、Hclk-33MHz(總線頻率減33MHz)、Hclk+33MHz（總線頻率+33MHz）”等三種模式可選。
四、用實(shí)例說(shuō)話
上面介紹了那么多有關(guān)于內(nèi)存優(yōu)化的知識(shí)，大家肯定最想看到的還是實(shí)際的例證。OK，筆者做了一個(gè)簡(jiǎn)單的測(cè)試。測(cè)試平臺(tái)：Athlon XP1800+(未超頻)、Apacer DDR333 512MB、GeForce4 Ti4200、VIA KT333主板，測(cè)試游戲?yàn)榻?jīng)典的Quake3 Arena。測(cè)試結(jié)果如下：
![請(qǐng)?zhí)砑用枋?src="/Files/BeyondPic/2008-6/23/1088656819311.gif"]()
從以上的測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比可以看到，優(yōu)化內(nèi)存設(shè)置對(duì)FPS游戲幀速度的提高不無(wú)小補(bǔ)，平均幅度達(dá)到4％－5％。
五、觀點(diǎn)：
相較其他內(nèi)存優(yōu)化技術(shù)，內(nèi)存異步調(diào)節(jié)的穩(wěn)定性要好得多，建議大家多根據(jù)所用內(nèi)存的規(guī)格充分應(yīng)用之。當(dāng)內(nèi)存參數(shù)設(shè)定過(guò)高或超頻導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定時(shí)，適當(dāng)?shù)卦黾觾?nèi)存電壓可以提高系統(tǒng)穩(wěn)定性（需主板支持），增加內(nèi)存電壓幅度最好不要超過(guò)0.3V。
本新聞共 2頁(yè),當(dāng)前在第 2頁(yè) 1 2 |
| 【收藏】【打印】【進(jìn)入論壇】 |
|
|
|
|
| |
|
|
|
