DDR3與DDR2對(duì)比
雖然DDR3是將完全替代DDR2的全新規(guī)格，但是其實(shí)只是性能上的提高，DDR3依然沿用了DDR2的構(gòu)架。下面我們就來(lái)看看DDR3相比DDR2到底在哪些方面有了改進(jìn)。
1. 工作電壓與頻率
DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR3目前最高能夠可以達(dá)到1600Mhz的速度，目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度為800Mhz/1066Mhz。
2. 邏輯Bank數(shù)量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì)，目的就是為了應(yīng)對(duì)未來(lái)大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個(gè)，另外還為未來(lái)的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。
3. 封裝（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會(huì)有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質(zhì)。
4. 突發(fā)長(zhǎng)度（BL，Burst Length）
由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定為8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)4-bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過(guò)A12地址線來(lái)控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。
5. 尋址時(shí)序（Timing）
就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0至4，而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。
本新聞共
6頁(yè),當(dāng)前在第
3頁(yè)
1 2 3 4 5 6 
