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　　奔騰M首次改版叫Dothan

　　在兩年多時(shí)間里，迅馳技術(shù)經(jīng)歷了一次改版和一次換代。初期迅馳中奔騰M處理器的核心代號(hào)為Bannis，采用130納米工藝，1MB高速二級(jí)緩存，400MHz前端總線。迅馳首次改版是在2004年5月，采用90納米工藝Dothan核心的奔騰M處理器出現(xiàn)，其二級(jí)緩存容量提供到2MB，前端總線仍為400MHz，它也就是我們常說(shuō)的Dothan迅馳。首次改版后，Dothan核心的奔騰M處理器迅速占領(lǐng)市場(chǎng)，Bannis核心產(chǎn)品逐漸退出主流。雖然市場(chǎng)中流行著將Dothan核心稱(chēng)之為迅馳二代，但英特爾官方并沒(méi)有給出明確的定義，仍然叫做迅馳。也就是在Dothan奔騰M推出的同時(shí)，英特爾更改了以主頻定義處理器編號(hào)的慣例，取而代之的是一系列數(shù)字，例如：奔騰M 715/725等，它們分別對(duì)應(yīng)1.5GHz和1.6GHz主頻。首次改版中，原802.11b無(wú)線網(wǎng)卡也改為了支持802.11b/g規(guī)范，網(wǎng)絡(luò)傳輸從11Mbps提供至14Mbps.

　　新一代迅馳Sonoma

　　迅馳的換代是2005年1月19日，英特爾正式發(fā)布基于Sonoma平臺(tái)的新一代迅馳移動(dòng)計(jì)算技術(shù)，其構(gòu)成組件中，奔騰M處理器升級(jí)為Dothan核心、90納米工藝、533MHz前端總線和2MB高速二級(jí)緩存，處理器編號(hào)由奔騰M 730—770，主頻由1.60GHz起，最高2.13GHz。915GM/PM芯片組讓迅馳進(jìn)入了PCI-E時(shí)代，其中915GM整合了英特爾GMA900圖形引擎，讓非獨(dú)立顯卡筆記本在多媒體性能上有了較大提高。915PM/GM還支持單通道DDR333或雙通道DDR2 400/533MHz內(nèi)存，性能提供同時(shí)也降低了部分功耗。目前Sonoma平臺(tái)的新一代迅馳漸漸成為市場(chǎng)主流。

　　迅馳二代
　　全新英特爾迅馳移動(dòng)計(jì)算技術(shù)平臺(tái)（代號(hào)為Sonoma），該平臺(tái)由90nm制程的Dothan核心（2MB L2緩存，533MHz FSB）的PentiumM處理器、全新Aviso芯片組、新的無(wú)線模組Calexico2（英特爾PRO/無(wú)線2915ABG或2200BG無(wú)線局域網(wǎng)組件）三個(gè)主要部件組成。

　　增加的新技術(shù)：全新英特爾圖形媒體加速器900顯卡內(nèi)核、節(jié)能型533MHz前端總線、以及雙通道DDR2內(nèi)存支持，有助于采用配備集成顯卡的移動(dòng)式英特爾915GM高速芯片組的系統(tǒng)，獲得雙倍的顯卡性能提升。此外，全新英特爾迅馳移動(dòng)計(jì)算技術(shù)還支持最新PCI Express圖形接口，可為采用獨(dú)立顯卡的高端系統(tǒng)提供最高達(dá)4倍的圖形帶寬。在系統(tǒng)制造商的支持下，還可獲得諸如電視調(diào)諧器、支持Dolby Digital和7.1環(huán)繞聲的英特爾高清晰度音頻、個(gè)人錄像機(jī)和遙控等選件，同時(shí)繼續(xù)享有英特爾迅馳移動(dòng)技術(shù)計(jì)算具備的耐久電池使用時(shí)間優(yōu)勢(shì)�？蓭椭�制造商實(shí)現(xiàn)耐久電池使用時(shí)間的特性包括：顯示節(jié)能技術(shù)2.0、低功耗DDR2內(nèi)存支持、以及增強(qiáng)型英特爾SpeedStep技術(shù)等。

　　1.全新的PentiumM處理器：Dothan處理器在Banias的基礎(chǔ)上引入了較為成熟的NetBurst構(gòu)架中的諸多特點(diǎn)，并增加了Enhanced Data Prefecher（高級(jí)數(shù)據(jù)預(yù)取）和Enhanced Register Data Retrieval（高級(jí)記錄數(shù)據(jù)重獲）兩項(xiàng)新技術(shù)。

　　同Banias內(nèi)核產(chǎn)品相比，Dothan處理器主要有三個(gè)方面的變化。首先生產(chǎn)工藝從0.13微米提升到了全新的90納米，可制造出更小更快的晶體管，因此Dothan處理器在比Banias增加了一倍Cache的情況下，體積和耗電基本保持不變。其次Dothan采用了新的“應(yīng)變硅”材料技術(shù)。據(jù)Intel測(cè)試，應(yīng)變硅中的電子流動(dòng)速度比當(dāng)前的其他硅材料的電子快很多，使Dothan的主頻得到了較大提升，目前最高已達(dá)到了2.13G。此外Dothan二級(jí)緩存提升到2MB，在保持能耗大致相同的情況下，相對(duì)于原先的同頻Banias Pentium-M處理器性能提升了20%左右。Dothan CPU從多方面來(lái)達(dá)到節(jié)能降耗的目的，其二級(jí)緩存采用了8路聯(lián)合的運(yùn)行模式，而每路又被分割成為4個(gè)功耗區(qū)域，由于在處理器工作過(guò)程中同一時(shí)間只能使用其中的一個(gè)功耗區(qū)域，所以在專(zhuān)用的堆棧管理技術(shù)控制下關(guān)閉當(dāng)前不能被使用到的功耗區(qū)域，從而大大降低了二級(jí)緩存的功耗。除此之外，Dothan CPU支持新的Enhanced SpeedStep節(jié)能技術(shù)，這一技術(shù)完全由處理器的電壓調(diào)整機(jī)制來(lái)完成，而與芯片組關(guān)系不大。在這些模式間切換的操作，全部是自動(dòng)的，完全根據(jù)處理器當(dāng)時(shí)的負(fù)荷，這樣就會(huì)使能耗情況得到精確的控制，達(dá)到更加節(jié)能的目的。