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深紫外光傳輸用光纖(DUV)
目前固體激光器和氣體激光器研究的課題之一就是深紫外光領(lǐng)域(250nm)的激光器振蕩技術(shù)。在固體激光器領(lǐng)域，采用CLBO(CsLiB6O10)結(jié)晶的Nd:YAG激光器的四倍波(=266nm)、五倍波(=213nm);在氣體激光器領(lǐng)域，F(xiàn)2(=157nm)，KY2(=148nm)，Ar2 (=126nm)，而采用ArF的環(huán)氧樹(shù)脂激光器的振高波長(zhǎng)=193nm等。
在半導(dǎo)體基片表面處理，在生物化學(xué)領(lǐng)域中對(duì)DNA的分析測(cè)試和化驗(yàn)、在醫(yī)療領(lǐng)域內(nèi)對(duì)近視治療等應(yīng)用領(lǐng)域中，深紫外光都得到了極其廣泛的應(yīng)用。對(duì)能傳輸深紫外光的光纖開(kāi)發(fā)工作也成為人所關(guān)注的重大技術(shù)課題。
從DUV光纖的損耗光譜化可以看出，在波長(zhǎng)為=200nm時(shí)，傳輸損耗發(fā)生急聚變化，而在1240和1380nm處出現(xiàn)二個(gè)峰值，我們認(rèn)為這是由OH的伸縮振動(dòng)引起的吸收造成的。
相同的預(yù)制棒在拉絲過(guò)程中因拉絲條件不同，損耗光譜值也不同，DUV拉制過(guò)程中(當(dāng)<220nm)拉絲速度為0.5m/分，爐溫為1780℃時(shí)，光纖損耗值最小，光使用波長(zhǎng)為193nmArF激光源時(shí)，最小透過(guò)率約為60%/m。光纖的損耗是隨拉絲速度加快，爐溫升高而增加，在220nm波長(zhǎng)處產(chǎn)生吸收增加，這種增加值是由E"中心引起的，屬拉絲工藝缺欠造在的。
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