在一些超頻的文章中經(jīng)常介紹到內(nèi)存的時(shí)序設(shè)置，如“2-3-3-5”、“2-3-3-6”這一類的數(shù)字序列，這些是什么意思呢？如何對(duì)內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置呢？還有，有的會(huì)員問：“我買了雜牌內(nèi)存，兼容性差，常常藍(lán)屏或出現(xiàn)莫名其妙的問題，如何解決呢？”，一夢(mèng)浮生撰寫本文的目的，就是想通過本文來幫助大家解決這些問題的。
優(yōu)化內(nèi)存的延遲參數(shù)對(duì)PC性能的提高有很大幫助。優(yōu)化內(nèi)存是通過調(diào)節(jié)BIOS中幾個(gè)內(nèi)存時(shí)序參數(shù)來實(shí)現(xiàn)的，如圖：
在一些技術(shù)文章里介紹內(nèi)存設(shè)置時(shí)序參數(shù)時(shí)，一般數(shù)字“A-B-C-D”分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，現(xiàn)在你該明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就這幾個(gè)參數(shù)及BIOS設(shè)置中影響內(nèi)存性能的其它參數(shù)逐一給大家作一介紹：
一、內(nèi)存延遲時(shí)序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設(shè)置
首先，需要在BIOS中打開手動(dòng)設(shè)置，在BIOS設(shè)置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設(shè)置中可能出現(xiàn)的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設(shè)為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項(xiàng)有：On/Off或Enable/Disable），如果要調(diào)整內(nèi)存時(shí)序，應(yīng)該先打開手動(dòng)設(shè)置，之后會(huì)自動(dòng)出現(xiàn)詳細(xì)的時(shí)序參數(shù)列表：
1、CL（CAS Latency）：“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”（可能的選項(xiàng)：1.5/2/2.5/3）
BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。這個(gè)參數(shù)很重要，內(nèi)存條上一般都有這個(gè)參數(shù)標(biāo)記。在BIOS設(shè)置中DDR內(nèi)存的CAS參數(shù)選項(xiàng)通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”幾種選擇，SDRAM則只有“2”、“3”兩個(gè)選項(xiàng)。較低的CAS周期能減少內(nèi)存的潛伏周期以提高內(nèi)存的工作效率。因此只要能夠穩(wěn)定運(yùn)行操作系統(tǒng)，我們應(yīng)當(dāng)盡量把CAS參數(shù)調(diào)低。反過來，如果內(nèi)存運(yùn)行不穩(wěn)定，可以將此參數(shù)設(shè)大，以提高內(nèi)存穩(wěn)定性。
2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行尋址至列尋址延遲時(shí)間”（可能的選項(xiàng)：2/3/4/5）
BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。數(shù)值越小，性能越好。
3、tRP(RAS Precharge Time): “內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間”（可能的選項(xiàng)：2/3/4）
BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。
4.tRAS(RAS Active Time): “內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”（可能的選項(xiàng)：1……5/6/7……15）
BIOS中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等。一般我們可選的參數(shù)選項(xiàng)有5，6或者7這3個(gè)，但是在一些nForce 2 主板上的選擇范圍卻很大，最高可到 15，最低達(dá)到 1。調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在5－11之間。這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說越大或越小就越好。具體的調(diào)整要遵循以下兩個(gè)原則：
a、當(dāng)內(nèi)存頁面數(shù)為4時(shí) ，tRAS設(shè)置短一些可能會(huì)更好，但最好不要小于5。另外，短tRAS的內(nèi)存性能相對(duì)于長tRAS可能會(huì)產(chǎn)生更大的波動(dòng)性，對(duì)時(shí)鐘頻率的提高也相對(duì)敏感；當(dāng)內(nèi)存頁面數(shù)大于或等于8時(shí)，tRAS設(shè)置長一些會(huì)更好。
目前的芯片組都具備多頁面管理的能力，所以如果可能，請(qǐng)盡量選擇雙P-Bank的內(nèi)存模組以增加系統(tǒng)內(nèi)存的頁面數(shù)量。但怎么分辨是單P-Bank還是雙 P-Bank呢？就目前市場(chǎng)上的產(chǎn)品而言，256MB的模組基本都是單P-Bank的，雙面但每面只有4顆芯片的也基本上是單 P-Bank 的，512MB 的雙面模組則基本都是雙 P-Bank的。
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