頁面數(shù)量的計算公式為： P-Bank 數(shù)量X4，如果是Pentium4或AMD 64 的雙通道平臺，則還要除以2。比如兩條單面256MB內存，就是 2X4=8個頁面，用在875上組成雙通道就成了4個頁面。
b、對于875和865平臺，雙通道時頁面數(shù)達到8或者以上時，tRAS設置長一些內存性能更好；對于非雙通道Pentium4與AMD 64 平臺，tRAS長短之間的性能差異要縮小
二、Bank Interleaving“內存交錯技術”（可能的選項：Off/Auto/2/4）
這里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的內存芯片都是由4個L-Bank所組成，為了最大限度減少尋址沖突，提高效率，建議設為4（Auto也可以，它是根據SPD中的L-Bank信息來自動設置的）。有人甚至認為啟用內存交錯對于系統(tǒng)性能的提高比將內存CAS延遲時間從3改成2還要大。
Intel和VIA都支持內存交錯技術，主要模式有2路交錯(2-Bank )和4路交錯(4-Bank)兩種；不過出于對系統(tǒng)的穩(wěn)定性考慮，很多支持該技術的主板在默認情況下都關閉了內存交錯技術，或最多開啟2路內存交錯模式——雖然4路交錯可以帶來更大的性能提升。通過升級BIOS，VIA 694X以上芯片組都有機會開啟內存交錯設置項；即便BIOS不支持，也可以通過WPCREdit等專用軟件來修改北橋芯片的寄存器，從而打開內存交錯模式。
三、Burst Length“突發(fā)長度”（可能的選項：4/8）
一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平臺，建議設為8，如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平臺，建議設為4。
四、Command Rate“首命令延遲”（可能的選項：1/2）
這個選項目前已經非常少見，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內存的尋址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩(wěn)定性。因此當你的內存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時間，才需要將此參數(shù)調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數(shù)。
五、DRAM Clock“內存時鐘頻率”（可能的選項：Host Clock/Hclk-33MHz/Hclk+33MHz，說明：Host Clock即總線頻率和內存工作頻率同步、Hclk-33MHz即總線頻率減33MHz、Hclk+33MHz即總線頻率+33MHz”等三種模式可選。）
在內存同步工作模式下，內存的運行速度與CPU外頻相同。內存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令內存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz的情況下(也有采用3:4、4:5的倍頻模式的)。
通過調整該參數(shù)，我們不僅可以讓“老”內存發(fā)揮余熱，更重要的是可以充分挖掘內存的潛力及獲得更寬泛的超頻空間。Intel的810～875系列芯片組和威盛的693以后的產品，都支持內存異步。
注意：在BIOS中對內存進行優(yōu)化設置可能會對電腦運行的穩(wěn)定性造成不良影響，所以建議內存優(yōu)化后一定要使用測試軟件進行電腦穩(wěn)定性和速度的測試。如果您對自己內存的性能沒有信心，那么最好采取保守設置，畢竟穩(wěn)定性是最重要的。如果因內存優(yōu)化而出現(xiàn)電腦經常死機、重啟動或程序發(fā)生異常錯誤等情況，只要清除CMOS參數(shù)，再次設置成系統(tǒng)默認的數(shù)值就可以了。同時，如果內存運行不穩(wěn)定或兼容性差，可以根據文章中的相關介紹，反優(yōu)化之道行之，可起到提高內存穩(wěn)定性的效果。
說明：本文系參閱網上有關內存優(yōu)化的不少文章整理而成，從實用和全面的角度出發(fā)，去掉了不少專業(yè)性太強的陳述及評測，旨在幫助菜鳥朋友們了解內存設置，化化內存，提高系統(tǒng)性能，解決內存不穩(wěn)定和兼容性差而引發(fā)的故障。
